Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Common to the Q1, Q2) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitGate leakage current I V = ±10 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±10 μA GSS GS DSDrain–source breakdown voltage V I = -0.1 mA, V = 0 V -20 ⎯ ⎯ V (BR) DSS D GSDrain cutoff current I V = -20 V, V = 0 V ⎯ ⎯ -1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = -3 V, I = -1 mA -0.4 ⎯ -1.0 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = -3 V, I = -50 mA      (Note 2) 77 ⎯ ⎯ mS fs DS DI = -50 mA, V = -4 V      (Note 2) ⎯ 4.3 8 D GSI = -50 mA, V = -2.5 V    (Note 2) ⎯ 5.6 11 D GSDrain–source ON-resistance R Ω DS (ON)I = -5 mA, V = -1.5 V     (Note 2) ⎯ 8.2 22 D GSI = -2 mA, V = -1.2 V     (Note 2) ⎯ 11 44 D GSInput capacitance C ⎯ 12.2 ⎯ issReverse transfer capacitance C V = -3 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 6.5 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance  C ⎯ 10.4 ⎯ ossTurn-on time t ⎯ 175 ⎯ on V = -3 V, I = -50 mA, DD DSwitching time ns V = 0 to -2.5 V GSTurn-off time t ⎯ 251 ⎯ offDrain–source forward voltage V I = 100 mA, V = 0 V      (Note 2) ⎯ 0.83 V DSF D GS 1.2 Note 2: Pulse test Switching Time Test Circuit (Common to the Q1, Q2) (a) Test Circuit (b) V IN 0 V10%  OUT  0 IN 90%  −2.5 V −2.5V R L VDS (ON)90% (c) V   10 μs OUTV DD V = -3 V 10% DD V DDDuty ≤ 1% t t   r f: t , t < 5 ns VIN r f (Z = 50 Ω) outt t on off Common Source  Ta = 25°C   Notice on Usage Let V be the voltage applied between gate and source that causes the drain current (I ) to below (−1 mA for the th D SSM6P35FU). Then, for normal switching operation, V must be higher than V and V must be lower than GS(on) th, GS(off)V This relationship can be expressed as: V < V < V th. GS(off) th GS(on).Take this into consideration when using the device.  Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials. 2 2014-03-01 50Ω SSM6P35FU    I – V I – V D DS D GS-250 -1000Common SourceCommon Source V = -3V DSTa = 25°C -10V -4V -200 -100-2.5V Ta = 100°C-150 -10-1.8V25°C−25°C-100 -1-1.5V-50 -0.1V =-1.2VGS-0.010 0 -1 -2 -30 -1 -1.5 -2-0.5 Drain–source voltage  V  (V) Gate–source voltage  V  (V) DS GS   R – V R – V DS (ON) GS DS (ON) GS20 15Common Source Common Source I = -5 mA I = -50 mA D D15 1010 25℃ 25℃ Ta=100℃5Ta=100℃5 -25℃-25℃0 00  -2  -4 -6 -8 -10 0 -2 -4 -6 -8 -10Gate–source voltage  V  (V) Gate–source voltage  V  (V) GS GS   R – Ta R – I DS (ON)DS (ON) D20 20Common SourceCommon SourceTa = 25°C V =−1.2 V, ID=-2mA GS15 15-1.5 V, -5mAV = -1.2 V GS10 10-1.5 V -2.5 V, -50mA-2.5 V -4V, -50mA5 5-4 V 0 0-1 -10 -100 -1000−50 050 150 100 Drain current  I  (mA) DAmbient temperature  Ta  (°C) 3 2014-03-01  Drain–source ON-resistance Drain–source ON-resistance Drain current  I  (mA) DR  (Ω) DS (ON)R  (Ω) DS (ON)Drain–source ON-resistance  Drain–source ON-resistance R  (Ω) Drain current  I  (mA) DS (ON) DR  (Ω) DS (ON)SSM6P35FU    V – Ta ⎪Y ⎪ – I th fs D-1 1000Common SourceI = -1 mA DV = -3 V DS-0.8 100-0.6 -0.4 10-0.2 Common Source V = -3 V DSTa = 25°C 0 1-1 -10 -100 -1000−50 50 0 100 150Ambient temperature  Ta  (°C) Drain current  I  (mA) D   I – V C – V DR DS DS1000 100Common Source V = 0 V GS 100 D G I DR10 S 10C  iss25°C 1 C ossTa=100℃ C rssCommon Source 0.1 -25°C V = 0 V GSf = 1 MHz Ta = 25°C 0.01   1-0.1 -1 -10 -1000 0.2 0.6 0.4 0.8 1 1.2 1.4Drain–source voltage  V  (V) Drain–source voltage  V  (V) DS DS   t – I P *– Ta D D10000 250Common SourceV = -3 V DDV = 0 to -2.5 VGS200Ta = 25°C t off1000 150t f100t 100 ont r 5010 0-0.1 -1 -10 -100 -10000 20 40 60 80 100 120 140 160*:Total Rating Drain current  I  (mA) DAmbient temperature  Ta  (°C) 4 2014-03-01    Switching time  t  (ns) Drain reverse current  I  (mA) Gate threshold voltage  V  (V) DR th   Drain Power Dissipation  P *  (mW) DCapacitance  C  (pF) Forward transfer admittance  ⎪Y ⎪  (mS) fsSSM6P35FU RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own