Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications Applications Unit: mm    
 Small package 
 Low Drain-Source ON resistance. : R = 2.7 Ω (max) (@V = −10 V) on GS: R = 4.2 Ω (max) (@V = −4 V) on GS Maximum Ratings  (Ta 



 25°C) (Q1, Q2 Common)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 
30 V DS Gate-Source voltage V 20 V GSSDC I 
200 DDrain current mA Pulse I 
800 DPDrain power dissipation (Ta  25°C) P (Note1) 300 mW D Channel temperature T 150 °C ch Storage temperature range T 
55~150 °C stgJEDEC ― JEITA ― Note1: Total rating, mounted on FR4 board 2(25.4 mm  25.4 mm  1.6 t, Cu Pad: 0.32 mm  6) Figure 1. TOSHIBA 2-2J1C  Weight: 6.8 mg (typ.)  Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  1 2003-02-19 SSM6P09FU Marking Equivalent Circuit 25.4 mm 

 25.4 mm 

 1.6 t,   Figure 1: 

 

2   Cu Pad: 0.32 mm 

 6 (top view) 

  6 5 4 6 5 40.4 mm Q1D K Q21 2 3 1 2 3