Small-signal MOSFET 2 in 1 Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, T = 25 = 25 = 25 = 25) ) ) )a a a a(Q1,Q2 Common) (Q1,Q2 Common) (Q1,Q2 Common) (Q1,Q2 Common)Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source voltage V 30 VDSSGate-source voltage V±20GSSDrain current (DC) (Note 1) I 4.0 ADDrain current (pulsed) (Note 1), (Note 2) I 10DPPower dissipation (Note 3) P 1 W DPower dissipation  t ≤ 10 s (Note 3) P 2 WDChannel temperature T 150chStorage temperature T -55 to 150stgNote: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and thesignificant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly evenif the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximumratings.Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability testreport and estimated failure rate, etc).Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150.Note 2: Pulse width (PW) ≤ 10 ms, duty ≤ 1%Note 3: Device mounted on a 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm FR4 glass epoxy board (total dissipation)(with a dissipating copper surface of 25.4 mm × 25.4 mm)Note: The MOSFETs in this device are sensitive to electrostatic discharge. When handling this device, the worktables,operators, soldering irons and other objects should be protected against anti-static discharge.Note: The channel-to-ambient thermal resistance, R , and the drain power dissipation, P , vary according toth(ch-a) Dthe board material, board area, board thickness and pad area. When using this device, be sure to take heatdissipation fully into account.2014-04-042Rev.2.0SSM6N55NU5. 5. 5. 5.