Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitGate leakage current I V = ±14 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSDrain-Source breakdown voltage V I = 0.1 mA, V = 0 V 30 ⎯ ⎯ V (BR) DSS D GSDrain cut-off current I V = 30 V, V = 0 V ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 0.1 mA 0.8 ⎯ 1.5 V th DS DForward transfer admittance ⎪Y ⎪ V = 3 V, I = 10 mA 25 ⎯ ⎯ mSfs DS DI = 10 mA, V = 4 V ⎯ 2.2 4.0 D GSDrain-Source ON resistance R Ω DS (ON)I = 10 mA, V = 2.5 V ⎯ 4.0 7.0 D GSInput capacitance C ⎯ 8.5 ⎯ issReverse transfer capacitance C V = 3 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 5.3 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C ⎯ 9.4 ⎯ ossTurn-on time t ⎯ 50 ⎯ on V = 5 V, I = 10 mA, DD DSwitching time ns V = 0 to 5 V GSTurn-off time t ⎯ 200 ⎯ off Switching Time Test Circuit  (a) Test circuit (b) V IN5 VOUT90% 5 V IN10% 0 0 V10 μs VDD(c) V VOUT DD10% V = 5 V DDDuty ≤ 1% 90% V : t , t < 5 ns VIN r f DS (ON)t tr f (Z = 50 Ω) outCommon Source t ton off Ta = 25°C  Precaution Let V be the voltage applied between gate and source that causes the drain current (I ) to be low (0.1mA for the th D SSM6N44FE). Then, for normal switching operation, V must be higher than V and V must be lower than GS(on) th, GS(off)V This relationship can be expressed as: V < V < V th. GS(off) th GS(on).Take this into consideration when using the device  2 2014-03-01 50 Ω R LSSM6N44FE (Q1, Q2 Common)    I – V I – V D DS D GS 250 1000Common Source Common Source V = 3 V DS Ta = 25°C 10 4 3 200 100  2.7 Ta = 100°C 150 10 2.5−25°C 25°C 100 1 2.3 50 0.1  V = 2.1 VGS 0 0.010 0.5 12 1.5 0 124 3   Drain-source voltage  V  (V) Gate-source voltage  V  (V) DS GS       R – I R – V DS (ON) D DS (ON) GS 10 6Common Source Common SourceI = 10 mA D Ta = 25°C 58   4 6 V = 2.5 V GSTa = 100°C  3 4 25°C 2 4 V−25°C2  1  0 00 40 80 200 120 160 0 241 6 8 0  Drain current  I  (mA) Gate-source voltage  V  (V) D GS       R – Ta V – Ta DS (ON) th 8 2Common Source Common Source  I = 10 mA D 1.8I = 0.1 mA D7  V = 3 V DS1.6 6 1.4 5  1.2V = 2.5 VGS 4 1 0.83  4 V0.6 2 0.4 1  0.2 0 0−25 0 25 100 50 150 75 125 −25 0 25 50 75 100 125 150  Ambient temperature  Ta  (°C) Ambient temperature  Ta  (°C)   3 2014-03-01  Drain-source ON-resistance Drain-source ON-resistance Drain current  I  (mA) DR  (Ω) R  (Ω) DS (ON) DS (ON)  Drain-source ON-resistance Gate threshold voltage  V  (V) Drain current  I  (mA) th DR  (Ω) DS (ON)SSM6N44FE (Q1, Q2 Common)    ⎪Y ⎪ – I I – V fs D DR DS 1000 250Common Source  Common Source 500 V = 0 V V = 3 V GSDS 300 Ta = 25°C Ta = 25°C 200 D 100  I150 DR50 G 30 S 100 10  5 50 3   1 00 10 100 1000 0 −0.2 −0.4 −0.6 −0.8 −1 −1.2 −1.4  Drain current  I  (mA) Drain-source voltage  V  (V) D DS       t – I t – I D D 10000 10000Common Source Common Source V = 5 V V = 3 V 5000 5000DD DD V = 0 to 5 V V = 0 to 2.5 VGS GS3000 3000Ta = 25°C Ta = 25°C t  offtoff t 1000 f 1000 500 500tf 300 300 ton 100 100 trt 50 on 50 30 30t  r 10 100.1 1 10 100 0.1 1 10 100  Drain current  I  (mA) Drain current  I  (mA) D D       C – V P * – Ta DS D 100 250Common Source Mounted on FR4 board. V = 0 V 50 2GS(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6mm,Cu Pad: 0.135 mm × 6)   f = 1 MHz 30 200Ta = 25°C 10 150C 5 issC oss3 C rss1001 0.5 500.3 0.1 00.1 1 10 100 0  40 80 120  160*: Total rating Drain-Source voltage  V  (V) Ambient temperature  Ta  (°C) DS4 2014-03-01   Forward transfer admittance Capacitance  C  (pF) Switching time  t  (ns) ⏐Y ⏐  (mS) fs   Power dissipation  P *  (mW) Switching time  t  (ns) Drain reverse current  I  (mA) D DRSSM6N44FE RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own