SSM6K25FEManufacturer: TOSHIBA Small-signal MOSFET | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| SSM6K25FE | TOSHIBA | 4000 | In Stock |
Description and Introduction
Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. Max UnitGate leakage current I V = ±12V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSV I = 1 mA, V = 0 20 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-Source breakdown voltage V V I = 1 mA, V = −12 V 10 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cut-off current I V = 20 V, V = 0 ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 0.1 mA 0.5 ⎯ 1.1 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = 3 V, I = 0.25 A (Note2) 1.2 2.4 ⎯ S fs DS DI = 0.25 A, V = 4.0 V (Note2) ⎯ 125 145 D GSDrain-Source on-resistance R mΩI = 0.25 A, V = 2.5 V (Note2) ⎯ 150 190 DS (ON) D GSI = 0.25 A, V = 1.8 V (Note2) ⎯ 200 395 D GSInput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 268 ⎯ pF iss DS GSReverse transfer capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 34 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 44 ⎯ pF oss DS GSTurn-on time t V = 10 V, I = 0.25 A, ⎯ 11 ⎯ on DD DSwitching time ns V = 0 to 2.5 V, R = 4.7 Ω Turn-off time t ⎯ 15 ⎯ GS G offNote2: Pulse test   Switching Time Test Circuit (a) Test Circuit (b) V IN  2.5 V90%OUT 2.5 V IN 10% 0 V0 VDD(c) V OUT10 μs 10% V DD90% V = 10 V DDVDS (ON)R = 4.7 Ω tt G r fDuty ≤ 1% t tV : t , t < 5 ns on off IN r fCommon Source Ta = 25°C   Precaution V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I =100 μA for th Dthis product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th GS (off)voltage than Vth. (The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on)Please take this into consideration when using the device.         2 2014-03-01 R GSSM6K25FE ID - VGSID - VDS1000016001.81.61400100012001002.03.0 VGS=1.4V1000Ta=100°C4.05.0108006001 25°C-25°C400Common Source 0.1Common Source200Ta=25°CVDS=3V0.01000.2 0.4 0.6 0.8 101 23Drain-Source voltage  VDS (V) Gate-Source voltage  VGS (V)RDS(ON) - VGSRDS(ON) - ID400200Common Source1.8V180350ID=250mA1603002.5V140250120VGS=4V100 20025°C80150Ta=100°C6010040-25°C50Common Source20Ta=25°C000 200 400 600 800 1000 1200 1400 160001 23 45 67 89 10Drain current  ID (mA) Gate-Source voltage  VGS (V)RDS(ON) - TaVth - Ta1400Common SourceCommon Source350ID=0.1mAID=250mA0.8VDS=3V3002500.61.8V2002.5V0.4150VGS=4V1000.25000-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160Ambient temperature  Ta (°C)Ambient temperature  Ta (°C) 3 2014-03-01 Drain-Source on resistanceDrain-Source on resistance RDS(ON) (mΩ) RDS(ON) (mΩ) Drain current  ID (mA)Drain-Source on resistanceDrain current  ID (mA) RDS(ON) (mΩ)Gate threshold voltage  Vth(V)SSM6K25FE  |Yfs| - IDIDR - VDS101600Common Source1400VGS=0VTa=25°C25°C1200D-25°C 1000G IDRTa=100°C1800S600400Common SourceVDS=3V200Ta=25°C0010 100 1000 10000 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1Drain-Source voltage  VDS (V)Drain current  ID (mA)C - VDSt - ID1000 1000Common SourceVDD=10VVGS=0 2.5V~Ta=25°CtoffCiss100tf100ton10Common Source CosstrVGS=0VCrssf=1MHzTa=25°C11010 100 1000 100000.1 1 10 100Drain current  ID (mA)Drain-Source voltage  VDS (V)PD - Ta1000mounted FR4 board(25.4mm*25.4mm*1.6t2Cu Pad :645mm )800600DC40020000 20 40 60 80 100 120 140 160Ambient temperature Ta( )℃ 4 2014-03-01 Forward transfer admittanceDrain power dissipation PD(mW) Capacitance  C (pF)|Yfs| (S)Drain reverse current  IDR (mA)Switching time  t (ns)SSM6K25FE RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own
|
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips