Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitV I = -1 mA, V = 0 -20 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain–source breakdown voltage V V I = -1 mA, V = +8 V -12 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V = -20 V, V = 0 ⎯ ⎯ -10 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ±8 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = -3 V, I = -1 mA -0.3 ⎯ -1.0 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = -3 V, I = -1 A (Note 2) 2.4 4 ⎯ S fs DS DI = -1.0 A, V = -4 V (Note 2) ⎯ 91 130 D GSDrain–source ON-resistance R mΩI = -0.5 A, V = -2.5 V (Note 2) ⎯ 130 186 DS (ON) D GSI = -0.2 A, V = -1.8 V (Note 2) ⎯ 180 320 D GSInput capacitance C V = -10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 335 ⎯ pF iss DS GSOutput capacitance C V = -10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 70 ⎯ pF oss DS GSReverse transfer capacitance C V = -10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 56 ⎯ pF rss DS GSTurn-on time t ⎯ 20 ⎯ V = -10 V, I = -1 A, on DD DSwitching time ns Turn-off time V = 0 to -2.5 V, R = 4.7 Ω t GS G ⎯ 20 ⎯ offDrain–source forward voltage V I = 2 A, V = 0      (Note 2) ⎯ 0.85 1.2 V DSF D GSNote 2: Pulse test Start of commercial production 2005-111 2014-03-01 SSM6J206FE Switching Time Test Circuit (a) Test circuit (b) V IN0 V10% OUT 0 IN 90% −2.5 V−2.5V R LVDS (ON)90% (c) V OUT10 μs V DDV = − 10 V 10% DDV DDR = 4.7 Ω Gt tr f Duty ≤ 1% V : t , t < 5 ns IN r ft ton off Common Source  Ta = 25°C    Marking                 Equivalent Circuit (top view) 6 5 46 5 4 KR 1231 2 3     Notice on Usage V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I = -1 mA for th D this product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th GS (off)voltage than V . th(The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on).Take this into consideration when using the device.     Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials.             2 2014-03-01 R GSSM6J206FE  ID - VDSID - VGS -10-5 -10 -4  Common Source  Common Source  VDS = -3 V-2.5   Ta = 25℃ -1-4  -0.1-3 -1.825℃  -2-0.01 -25℃Ta = 85℃  -1.5 -1-0.001 VGS = -1.2 V 0-0.0001 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -10 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2 -2.2 -2.4 Gate-Source Voltage  VGS (V)Drain-Source Voltage VDS (V)    RDS (ON) - VGS RDS (ON) - Ta  300 300  Common Source   Common Source-0.5 ATa = 25　 ℃ -1.8 V, -0.2 A 250 ID = -1 A -0.2 A200 200 -2.5 V, -0.5 A  150  100100 VGS = -4 V, ID = -1 A 50   00-60 -35 -10 15406590 115 14001 23 456 78 9 10  Ambient Temperature  Ta (℃)Gate-Source Voltage  VGS (V)   RDS (ON) - IDVth - Ta 300-1.4   Common Source   Ta = 25℃  Common SourceVGS = -1.8 V-1.2  ID = -1  mA250   VDS = -3 V -1 200 -0.8-2.5 V 150 -0.6-4 V 100 -0.4 50-0.2  0-0 0 -1-2 -3-4 -5-25 0 25 50 75 100 125 150 Drain Current  ID (A)Ambient Temperature  Ta (℃)   3 2014-03-01 Drain-Source ON-ResistanceDrain-Source ON-ResistanceDrain Current  ID (A)RDS (ON) (mΩ)RDS (ON)　(mΩ)Drain-Source ON-ResistanceDrain Current  ID (A)Gate Threshold Voltage Vth(V) RDS (ON)　(ｍΩ)SSM6J206FE  |Yfs| - ID IDR - VDS  1010  Common Source Common SourceVGS = 0  VDS = -3 V   Ta = 25 Ta = 25℃ ℃25℃ 25℃1  Ta = 85℃-25℃ -25℃0.1 1  Ta = 85℃ 0.01   0.0010.10 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 -0.01 -0.1 -1 -10Drain-Source Voltage VDS (V) Drain Current  ID (A)    C - VDS t - ID  10001000   Common Source   VDD = -10 V  VGS = 0 to -2.5 V   Ta = 25℃toffCiss 100 tf 100  Cosston 10Crsstr   Common Source   VGS = 0 V  f = 1 MHz   Ta = 25℃ 10 1 -0.1 -1 -10 -1000.01 0.1 1 10 Drain-Source Voltage VDS (V)Drain Current  ID (A)   PD - Ta1000 Mounted on an FR4 board (25.4mm×25.4mm×1.6mm) Cu Pad :25.4mm×25.4mm800   600  400   200  0 0 20 40 60 80 100 120 140 160Ambient Temperature Ta (°C)  4 2014-03-01 Capacitance  C (pF) Forward Transfer Admittance  |Yfs| (S)Drain Power Dissipation PD (mW)Drain Reverse Current   IDR (A)Switching Time  t (ns)SSM6J206FE RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own