Field Effect Transistor SSM6J08FU  TOSHIBA Field Effect Transistor  Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) SSM6J08FU   Power Management Switch Unit: mmDC-DC Converter    
 Small Package 
 Low on Resistance : R = 0.18 Ω (max) (@V = −4 V) on GS  : R = 0.26 Ω (max) (@V = −2.5 V) on GS
 Low Gate Threshold Voltage  Maximum Ratings   (Ta 



 25°C)  Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 
20 V DS Gate-Source voltage V 12 V GSS DC I 
1.3 D Drain current A Pulse I (Note 2) 
2.6 DP Drain power dissipation  P (Note 1) 300 mW D  Channel temperature T 150 C  chJEDEC ― Storage temperature range T 
55~150 C stg JEITA ― Note1: Mounted on FR4 board 2TOSHIBA 2-2J1D (25.4 mm  25.4 mm  1.6 t, Cu Pad: 0.32 mm  6) Fig: 1. Weight: 6.8 mg (typ.) Note2: The pulse width limited by max channel temperature.  Marking Equivalent Circuit Fig 1: 25.4 mm 

 25.4 mm 

 1.6 t,  

 

2   Cu Pad: 0.32 mm 

 6 

 6 5 4 6 5 40.4 mm K D D 1 2 3 1 2 3 Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials. 1 2003-02-19 0.8 mm SSM6J08FU