Multi-chip discrete device (P-ch + SBD) Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. Max UnitGate leakage current I V = ±8 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSV I = −1 mA, V = 0 −12 ⎯ ⎯  (BR) DSS D GSDrain-Source breakdown voltage V V I = −1 mA, V = +8 V −4 ⎯ ⎯  (BR) DSX D GSDrain Cut-off current I V = −12 V, V = 0 ⎯ ⎯ −1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = −3 V, I = −0.1 mA −0.5 ⎯ −1.1 V th DS DForward transfer admittance |Y| V = −3 V, I = −0.75 A (Note 4) 1.75 3.5 ⎯ S fs DS DI = −0.75 A, V = −4 V (Note 4) ⎯ 100 130D GSDrain-Source on-resistance R mΩDS (ON)I = −0.75 A, V = −2.5 V (Note 4) ⎯ 130 200D GSInput capacitance C V = −10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 550 ⎯ pF iss DS GSReverse transfer capacitance C V = −10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 155 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C V = −10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 170 ⎯ pF oss DS GSTurn-on time t V = −10 V, I = −0.75 A ⎯ 34 ⎯ on DD DSwitching time ns Turn-off time t V = 0 to −2.5 V, R = 4.7 Ω ⎯ 28 ⎯ GS GoffNote 4: Pulse measurement  Switching Time Test Circuit (a) Test circuit (b) V IN0 V 10% V = −10 V DD0 OUT R = 4.7 ΩG 90%IN −2.5 VDuty ≤ 1% −2.5 VV : t , t < 5 ns IN r fVDS (ON)Common source 90% 10 μs (c) V OUTTa = 25°C 10% V DDVDDt tr ft ton off Precaution V can be expressed as the voltage between the gate and source when the low operating current value is I = th D 100 μA for this product. For normal switching operation, V requires a higher voltage than V and V GS (on) th GS (off)requires a lower voltage than V . (The relationship can be established as follows: V < V < V ) th GS (off) th GS (on).Be sure to take this into consideration when using the device. 3 2014-03-01 R GSSM5G09TU Schottky Diode