Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitGate leakage current I V = ±14 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSDrain-source breakdown voltage V I = 0.1 mA, V = 0 V 30 ⎯ ⎯ V (BR) DSS D GSDrain cut-off current I V = 30 V, V = 0 V ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 0.1 mA 0.8 ⎯ 1.5 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y⏐ V = 3 V, I = 10 mA 25 ⎯ ⎯ mS fs DS DI = 10 mA, V = 4 V ⎯ 2.2 4.0 D GSDrain-Source on-resistance R Ω DS (ON)I = 10 mA, V = 2.5 V ⎯ 4.0 7.0 D GSInput capacitance C ⎯ 8.5 ⎯ issReverse transfer capacitance C V = 3 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 5.3 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C ⎯ 9.4 ⎯ ossTurn-on time t ⎯ 50 ⎯ on V = 5 V, I = 10 mA, DD DSwitching time ns V = 0 to 5 V GSTurn-off time t ⎯ 200 ⎯ off Switching Time Test Circuit (a) Test circuit (b) V IN 5 VOutput90%5 V Input 10% 0 R L 0 V10 μs VDD(c) V V OUT DD10% V = 5 V DDDuty ≤ 1% 90% Input: t , t < 5 ns Vr f DS (ON)t tr f (Z = 50 Ω) outCommon Source t ton off Ta = 25°C Precaution V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I 100 μA for th D = this product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th GS (off)voltage than Vth. (The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on)Please take this into consideration when using the device. 2 2014-03-01 50 Ω SSM3K44MFV     I – V I – V D DS D GS 250 1000 Common Source Common Source Ta = 25°C V = 3 V DS10 4 3 200 100  2.7 Ta = 100°C 150 10 2.5−25°C 25°C 100 1 2.3 50 0.1  V = 2.1 VGS 0 0.010 0.5 12 1.5 0 124 3   Drain-Source voltage  V  (V) Gate-Source voltage  V  (V) DS GS       R – I R – V DS (ON) D DS (ON) GS 10 6Common Source Common Source I = 10 mA D Ta = 25°C 58   4 6 VGS = 2.5 V Ta =100°C  3 4 25°C 2 4 V−25°C2  1  0 00 40 80 200 120 160 0 241 6 8 0  Drain current  I  (mA) Gate-source voltage  V  (V) D GS       R – Ta V – Ta DS (ON) th 8 2Common Source Common Source  I = 10 mA D 1.8I = 0.1 mA D7  V = 3 V DS1.6 6 1.4 5  1.2V = 2.5 VGS 4 1 0.83  4 V0.6 2 0.4 1  0.2 0 0−25 0 25 100 50 150 75 125 −25 0 25 50 75 100 125 150  Ambient temperature  Ta  (°C) Ambient temperature  Ta  (°C)   3 2014-03-01  Drain-Source ON-resistance Drain-Source ON-resistance Drain current  I  (mA) DR  (Ω) DS (ON) R  (Ω) DS (ON)  Drain-Source ON-resistance Gate threshold voltage  V  (V) Drain current  I  (mA) th DR  (Ω) DS (ON)SSM3K44MFV     ⎪Y⎪ – I I – V fs D DR DS 1000 250Common Source  Common Source 500 V = 0 V V = 3 V GSDS 300 Ta = 25°C Ta = 25°C 200 D 100  I150 DR50 G 30 S 100 10  5 50 3   1 01 10 100 1000 0−0.2−0.4−0.6−0.8 −1 −1.2 −1.4  Drain current  I  (mA) Drain-Source voltage  V  (V) D DS       t – I t – I D D 10000 10000Common Source Common Source V = 5 V V = 3 V 5000 5000DD DD V = 0 to 5 V V = 0 to 2.5 VGS GS3000 3000Ta = 25°C Ta = 25°C t  offtoff t 1000 f 1000 500 500tf 300 300 ton 100 100 trt 50 on 50 30 30t  r 10 100.1 1 10 100 0.1 1 10 100  Drain current  I  (mA) Drain current  I  (mA) D D       C – V P – Ta DS D 100 250Common Source Mounted on FR4 board  2V = 0 V (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6mm, Cu Pad: 0.585 mm ) 50 GS f = 1 MHz 30 200Ta = 25°C   10  150C 5 iss C oss3 C  rss100 1  0.5 50 0.3   0.1 00.1 1 10 100 0 20 40 60 80 100 120 140 160  Drain-Source voltage  V  (V) Ambient temperature  Ta  (°C) DS  4 2014-03-01   Forward transfer admittance Capacitance  C  (pF) Switching time  t  (ns) ⏐Y⏐  (mS) fs   Switching time  t  (ns) Drain reveres current  I  (mA) DRDrain power dissipation  P  (mW) DSSM3K44MFV RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own