Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Applications    
 Suitable for high-density mounting due to compact package 
 Low on resistance : R = 3.0 Ω (max) (@V = 4 V) on GS : R = 4.0 Ω (max) (@V = 2.5 V) on GS : R = 15 Ω (max) (@V = 1.5 V) on GS Maximum Ratings  (Ta = 25°C)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 20 V DS Gate-Source voltage V 
10 V GSS DC I 100 D  Drain current mA Pulse I 200 DP  Drain power dissipation (Ta  25°C) P 100 mW D Channel temperature T 150 C JEDEC ―  chStorage temperature range T 55~150 C stg JEITA ―  TOSHIBA 2-1B1B Marking Equivalent Circuit Weight: 2.2 mg (typ.)  3 3 D S 1 2 12 Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  1 2002-01-17 SSM3K16TE

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications SSM3K16TE  TOSHIBA Field Effect Transistor  Silicon N Channel MOS Type SSM3K16TE   High Speed Switching