Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  Characteristic Symbol Test Condition MIN. TYP. MAX.UNITGate leakage current I V = ±16 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSDrain-Source breakdown voltage V I = − 0.1 mA, V = 0 −30 ⎯ ⎯ V (BR) DSS D GSDrain cut-off current I V = −30 V, V = 0 ⎯ ⎯ −1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = −3 V, I =− 0.1 mA −1.1 ⎯ −1.7 V th DS DForward transfer admittance ⎪Y ⎪ V = −3 V, I = −10 mA 20 ⎯ ⎯ mSfs DS DI = −10 mA, V = −4 V ⎯ 8 12 D GSDrain-Source ON resistance R Ω DS (ON)I = −1 mA, V = −2.5 V ⎯ 14 32 D GSInput capacitance C ⎯ 9.1 ⎯ pF issReverse transfer capacitance C V = −3 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 3.5 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C ⎯ 8.6 ⎯ pF oss⎯ ⎯ Turn-on time t 65 on V = −5 V, I = −10 mA, DD DSwitching time ns V = 0 to −5 V GS ⎯ ⎯ Turn-off time t 175 off Switching Time Test Circuit  (a) Test circuit (b) V IN0 VOUT  10% 0 IN   90% −5V R  −5 VL 10 μs V DD (c) V VOUT DS (ON) 90%  V = −5 V DD Duty ≤ 1% 10%  V : t , t < 5 ns V IN r fDDt t  r f(Z = 50 Ω)  outCommon Source  t t on offTa = 25°C   Precaution V can be expressed as voltage between gate and source when low operating current value is I = −100 μA for this th Dproduct. For normal switching operation, V  requires higher voltage than V and V requires lower voltage GS (on) th GS (off)than V . (Relationship can be established as follows: V < V < V ) th GS (off) th GS (on) Please take this into consideration for using the device.          2 2014-03-01 50 Ω SSM3J15FS   ID - VGSID - VDS -250 -1000 Common SourceCommon Source VDS=-3VTa=25°C-10 -7-5-200-100 -4 Ta=100°C -150-10-3.325°C-100 -1-3.0 -25°C-2.7-50 -0.1-2.5VGS=-2.3V0-0.010 -0.5 -1 -1.5 -2 0 -1-2 -3-4-5Drain-Source Voltage VDS(V)Gate-Source Voltage VGS(V)RDS(ON) - VGSRDS(ON) - ID204018Source CommonCommon SourceID= -1mA16Ta=25°C301412Ta=100°C201025°8VGS=-2.5V6104-4V2-25°C00-1 -10 -100 -10000 -2-4 -6-8 -10Drain Current ID(mA)Gate-Source Voltage VGS (V)RDS(ON) - TaVth - Ta30-2Common SourceCommon Source-1.8ID=-0.1mA-1.6VDS=-3V-1.420VGS=-2.5V,ID=-1mA-1.2-1-0.810-0.6-4V,-10mA-0.4-0.200-25 0 25 50 75 100 125 150-25 0 25 50 75 100 125 150Ambient temperature Ta(°C)Ambient temperature Ta(°C)3 2014-03-01 Drain Current ID(mA)Drain-Source on resistance RDS (ON) (Ω) Drain-Source on resistance RDS (ON) (Ω) Drain-Source on resistance RDS (ON) (Ω) Drain Current ID(mA)Gate threshold valtage Vth(V)SSM3J15FS    |Yfs| - IDIDR - VDS 1000-250Common Source Common SourceVDS= -3VVGS=0V -200Ta=25°CTa=25°C  100 -150  -10010-5010-1 -10 -100 -10000 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4Drain current ID (mA)Drain-Source voltage VDS (V)t - IDC - VDS10000100Common SourceCommon Source  VDD= -5V  VGS=0Vtoff  VGS=0~-5V  f=1MHz  Ta=25°C1000  Ta=25°Ctf10Ciss100tonCosstrCrss101-0.1 -1 -10 -100-0.1 -1 -10 -100Drain Current ID (mA)Drain-Source voltage VDS (V)PD - Ta2502001501005000 20 40 60 80 100 120 140 160Ambient temperature Ta(°C)4 2014-03-01 Forword transfer admittance|Yfs| (mS)Capacitance C (pF)Drain power dissipation Pd (mW)Switching Time　t (ns)Drain reveres current IDR (mA)SSM3J15FS RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own