600V N-Channel MOSFET The SSI10N60B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The SSI10N60B is an N-channel MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power supply circuits, motor control, and other industrial applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances ruggedness in switching circuits.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements and switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability under transient conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, inverters, and motor drives.