N-CHANNEL POWER MOSFET The **SSH22N50A** is a power MOSFET manufactured by **SEC (Samsung Electronics)**. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 22A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 88A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.22Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The **SSH22N50A** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (0.22Ω max)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **High Current Handling (22A continuous, 88A pulsed)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-247 Package for Enhanced Thermal Performance**  

This information is based on SEC's official datasheet for the SSH22N50A MOSFET.