### **Specifications:**  
- **Type:** NPN  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 15V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 50mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 700MHz  
- **Noise Figure (NF):** Low  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-frequency amplification and low-noise applications.  
- Suitable for RF and VHF circuits.  
- Compact TO-92 package.  
- Low leakage current.  
- High gain and fast switching characteristics.  

This information is based solely on the provided knowledge base.