for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPW24N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 24 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60 nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (min), 5 V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The **SPW24N60C3** is a **N-channel power MOSFET** designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Fast switching performance**  
- **Low gate charge** for improved efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for robustness in harsh conditions  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based solely on Infineon's datasheet for the SPW24N60C3.