N-Channel SIPMOS Power Transistor The **SPP35N10** is an N-channel MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 140A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The **SPP35N10** is a **100V N-channel MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications. It features **low on-state resistance (R_DS(on))** and **fast switching speeds**, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **High Current Handling (35A continuous, 140A pulsed).**  
- **Fast Switching Performance** for improved efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **TO-220 Package** for easy mounting and heat dissipation.  
- **Logic-Level Gate Drive Compatibility** (fully enhanced at 10V).  

This information is based on Infineon's datasheet for the **SPP35N10** MOSFET.