### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 50V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 31A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 25nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Technology:** TrenchMOS™ technology for low on-state resistance  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Applications:** Power switching in automotive, industrial, and consumer electronics  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications  
- **Low Gate Charge:** Ensures efficient performance in high-frequency circuits  
- **Avalanche Rated:** Robust design for reliable operation under harsh conditions  

This MOSFET is designed for high-current, low-voltage applications requiring efficient power handling.