N-Channel SIPMOS Power Transistor The SPD30N03 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPD30N03  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 120A  
- **Power Dissipation (PD):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.025Ω (typical) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 3V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 30nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
The SPD30N03 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability (30A continuous)  
- Avalanche ruggedness  
- Improved thermal performance  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Infineon's datasheet and technical documentation for the SPD30N03 MOSFET.