SIPMOS Power Transistor The SPD28N05L is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 50V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 28A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 110A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 40nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The SPD28N05L is an N-channel MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Robust and reliable performance in harsh environments  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.