N-Channel SIPMOS Power Transistor The SPD08N05L is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 50 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1–2.5 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30 ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20 ns (typical)  

### **Description:**  
The SPD08N05L is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power electronics applications.

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 8 A continuous drain current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5 V logic signals.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

This information is based on Infineon’s datasheet for the SPD08N05L MOSFET.