N-Channel SIPMOS Power Transistor The SPB46N03L is a power MOSFET manufactured by PHILIPS. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 46A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 184A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.018Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1-2V  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-current, low-voltage applications.  
- Suitable for power switching in automotive, industrial, and consumer electronics.  
- Features low on-resistance for improved efficiency.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage signals.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet.

N-Channel SIPMOS Power Transistor