for lowest Conduction Losses The SPB20N60S5 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600 V  
- **Current Rating (I_D):** 20 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 230 W  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.19 Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The SPB20N60S5 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in high-power circuits such as power supplies, motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-State Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche-Rugged Design:** Provides robustness in harsh operating conditions.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching performance and reduces driver losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental regulations.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to Infineon's official resources.