N-Channel SIPMOS Power Transistor The SPB10N10 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- The SPB10N10 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power electronics applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V or 10V drive signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For exact datasheet details, refer to Infineon’s official documentation.