N-Channel Enhancement-Mode MOSFET The SMP50N06-25 is a power MOSFET manufactured by SILICONIX (now part of Vishay). Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.025Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The SMP50N06-25 is an N-channel MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 50A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.