PNP Silicon Switching Transistor with... The SMBT2907A is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -60 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -60 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5 V  
- **Collector Current (I_C):** -600 mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300 mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 50 - 250 (at I_C = -10 mA, V_CE = -1 V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200 MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SMBT2907A is a high-performance PNP transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a SOT-23 surface-mount package, making it suitable for compact PCB designs.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved efficiency.  
- Low saturation voltage for better switching performance.  
- Suitable for high-frequency applications due to its transition frequency (f_T) of 200 MHz.  
- RoHS-compliant and lead-free.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.