NPN Silicon Switching Transistor with... The SMBT 3904 E6327 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- The SMBT 3904 E6327 is a small-signal transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is commonly used in low-power circuits, such as signal amplification, switching loads, and digital logic circuits.  
- The SOT-23 package makes it suitable for compact PCB designs.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- High transition frequency (f_T) for fast switching applications.  
- RoHS compliant.  

This information is based on Infineon’s datasheet for the SMBT 3904 E6327 transistor. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

NPN Silicon Switching Transistor with...