NPN Silicon Switching Transistor with... The SMBT 3904 E6327 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- The SMBT 3904 E6327 is a small-signal transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is commonly used in low-power circuits, such as signal amplification, switching loads, and digital logic circuits.  
- The SOT-23 package makes it suitable for compact PCB designs.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- High transition frequency (f_T) for fast switching applications.  
- RoHS compliant.  

This information is based on Infineon’s datasheet for the SMBT 3904 E6327 transistor. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.