30-V (D-S) Single The **SI9435DY** is a **P-Channel MOSFET** manufactured by **SILICON**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:
### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -48A  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.025Ω (max) at VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Descriptions:**
- The **SI9435DY** is a **P-Channel MOSFET** designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- It is housed in a **SOIC-8 package**, providing a compact footprint.  
- Suitable for **battery management, load switching, and DC-DC converters**.  
### **Features:**
- **Low On-Resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses.  
- **High Current Handling** capability.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive loads.  
- **RoHS Compliant** (lead-free).  
This information is sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.