### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -50 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -200 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W (at T_C = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10 mΩ (max) at V_GS = -10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60 nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature Range (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy rated  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Power management in DC-DC converters  
- Motor control  
- Battery protection circuits  
- Load switching  

(Source: Vishay datasheet for SI7948DP)