**Part Number:** SI6882EDQ  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 4.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions:**  
The SI6882EDQ is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in various circuits.  

**Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Enhanced thermal characteristics  
- RoHS compliant  
- Lead-free package  

(Note: Specifications may vary based on datasheet revisions; always refer to the official VISHAY datasheet for precise details.)