### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage (VDS):** 30V  
- **Current (ID):** 50A (continuous)  
- **RDS(ON):** 8.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) - 2.5V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency operations.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V logic signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, and motor control applications.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications before design implementation.)