N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4812DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Package:** SOIC-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 28mΩ (at V_GS = 10V)  
  - 32mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (typical)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power management in low-voltage applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching.  
- Dual MOSFET configuration in a compact SOIC-8 package.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to Vishay’s official datasheet.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode