80V N-Channel PowerTrench MOSFET The SI4480DY is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Vishay**  

### **Part Number:**  
- **SI4480DY**  

### **Type:**  
- **N-Channel Power MOSFET**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 1.8 mΩ at V_GS = 10V  
  - 2.5 mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **D²PAK (TO-263AB)**  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **High Current Handling Capability**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- **DC-DC Converters**  
- **Motor Control**  
- **Power Management in Automotive and Industrial Systems**  
- **Battery Protection Circuits**  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI4480DY. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

80V N-Channel PowerTrench MOSFET

80V N-Channel PowerTrench MOSFET **Manufacturer:** Vishay Siliconix  

**Part Number:** SI4480DY  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.018 Ω (at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100 pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30 ns  
- **Package:** SO-8 (PowerPAK®)  

**Description:**  
The SI4480DY is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  

**Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Improved thermal performance with PowerPAK® package  
- Optimized for high-efficiency power conversion  
- RoHS compliant  

(Source: Vishay Siliconix datasheet)

80V N-Channel PowerTrench MOSFET

80V N-Channel PowerTrench MOSFET **Manufacturer:** SILICONIX (now part of Vishay)  

**Part Number:** SI4480DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 9.5mΩ (V_GS = 10V)  
  - 12mΩ (V_GS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** SO-8 (D2PAK variant available)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Robust Design:** TrenchFET technology ensures high performance and reliability.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- **Avalanche Rated:** Capable of handling inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is designed for high-performance power applications with low voltage requirements.

80V N-Channel PowerTrench MOSFET