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SI4410DYTR from VISHAY

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SI4410DYTR

Manufacturer: VISHAY

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4410DYTR VISHAY 10 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The SI4410DYTR is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI4410DYTR  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10 A  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 10 V:** 0.028 Ω  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
SO-8 (Surface Mount)  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(ON))  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Power management in DC-DC converters  
- Motor control  
- Battery protection circuits  
- Load switching  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the SI4410DYTR.

Application Scenarios & Design Considerations

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4410DYTR IOR 6043 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The SI4410DYTR is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Part Number:**  
SI4410DYTR  

### **Description:**  
The SI4410DYTR is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -6.3 A  
- **RDS(on) (Max):** 0.028 Ω (at VGS = -4.5 V)  
- **RDS(on) (Max):** 0.042 Ω (at VGS = -2.5 V)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Low Gate Charge (Qg):** 13 nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- Power management in portable devices  
- Battery protection circuits  
- Load switching  
- DC-DC converters  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional guidance or suggestions are included.

Application Scenarios & Design Considerations

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4410DYTR IR 8534 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The SI4410DYTR is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -5.5 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -22 A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **RDS(on)GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1 V to -3 V  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Advanced TrenchFET® technology** for low on-resistance and high efficiency.  
- **Optimized for power management** in DC-DC converters, load switches, and battery protection circuits.  
- **Low gate charge (QG)** for fast switching performance.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant.**  

This information is based on Vishay Siliconix's datasheet for the SI4410DYTR.

Application Scenarios & Design Considerations

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4410DYTR OKI 3314 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The SI4410DYTR is a P-channel MOSFET manufactured by OKI. Here are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** OKI  
- **Part Number:** SI4410DYTR  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -22A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.045Ω (max) @ VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** SOP-8  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for low-voltage, high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for battery management, load switching, and DC-DC converters.  
- RoHS compliant.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

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