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SI4410DYTR from VISHAY

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15.625ms

SI4410DYTR

Manufacturer: VISHAY

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4410DYTR VISHAY 10 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The SI4410DYTR is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI4410DYTR  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10 A  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 10 V:** 0.028 Ω  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
SO-8 (Surface Mount)  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(ON))  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Power management in DC-DC converters  
- Motor control  
- Battery protection circuits  
- Load switching  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the SI4410DYTR.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4410DYTR IOR 6043 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The SI4410DYTR is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Part Number:**  
SI4410DYTR  

### **Description:**  
The SI4410DYTR is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -6.3 A  
- **RDS(on) (Max):** 0.028 Ω (at VGS = -4.5 V)  
- **RDS(on) (Max):** 0.042 Ω (at VGS = -2.5 V)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Low Gate Charge (Qg):** 13 nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- Power management in portable devices  
- Battery protection circuits  
- Load switching  
- DC-DC converters  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional guidance or suggestions are included.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4410DYTR IR 8534 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The SI4410DYTR is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -5.5 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -22 A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **RDS(on)GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1 V to -3 V  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Advanced TrenchFET® technology** for low on-resistance and high efficiency.  
- **Optimized for power management** in DC-DC converters, load switches, and battery protection circuits.  
- **Low gate charge (QG)** for fast switching performance.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant.**  

This information is based on Vishay Siliconix's datasheet for the SI4410DYTR.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4410DYTR OKI 3314 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The SI4410DYTR is a P-channel MOSFET manufactured by OKI. Here are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** OKI  
- **Part Number:** SI4410DYTR  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -22A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.045Ω (max) @ VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** SOP-8  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for low-voltage, high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for battery management, load switching, and DC-DC converters.  
- RoHS compliant.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

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