Load Switch with Integrated Level-Shift The SI3861DV is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 45 mΩ at V_GS = -4.5 V  
  - 60 mΩ at V_GS = -2.5 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7 V to -1.5 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 10 nC  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SI3861DV is a P-Channel MOSFET designed for low-voltage applications, offering low on-resistance and high efficiency in power management circuits. It is suitable for switching and amplification in portable devices, power supplies, and battery management systems.

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency.  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for reduced drive requirements.  
- **Avalanche Energy Rated** for rugged performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant.**  
- **Packaging:** TSOP-6 (Thin Small Outline Package).  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI3861DV.

Load Switch with Integrated Level-Shift The SI3861DV is a P-channel MOSFET manufactured by Siliconix (now part of Vishay). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Siliconix/FAI (Vishay)  
### **Part Number:** SI3861DV  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.05Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 10nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Description:**  
The SI3861DV is a P-channel enhancement-mode MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, power distribution, and battery management systems.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Small SO-8 package for space-constrained applications  
- RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.