Complementary MOSFET Half-Bridge (n- and p-Ch) The SI3850DV is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3850DV  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The SI3850DV is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It features low on-resistance and high current-handling capability.  
- Suitable for load switching, DC-DC conversion, and battery management.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to -5.8A continuous drain current.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.