P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET The part **SI3445DV** is manufactured by **VISHAY**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay Siliconix  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (at V_GS = -4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -2V  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**
- **Advanced TrenchFET® Technology** for low on-resistance and high efficiency.  
- **Optimized for Power Management** in portable and battery-powered applications.  
- **Low Gate Charge (Q_G)** for fast switching performance.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **AEC-Q101 Qualified** for automotive applications.  
- **Suitable for Load Switching, DC-DC Converters, and Motor Control.**  

For detailed datasheets, refer to Vishay's official documentation.