P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The part **SI3441BDV** is manufactured by **Vishay Siliconix (VIS)**. Here are the specifications, descriptions, and features:

### **Description:**  
The **SI3441BDV** is a **P-channel MOSFET** designed for power management applications. It is part of Vishay Siliconix's portfolio of power MOSFETs, optimized for low-voltage, high-efficiency switching.

### **Key Features:**  
- **Channel Type:** P-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.085Ω @ V_GS = -4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **Package:** **TSOP-6** (Thin Small Outline Package)  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Enhances switching efficiency  
- **Low Threshold Voltage (V_GS(th)):** Suitable for low-voltage applications  

### **Applications:**  
- Power management in portable devices  
- Load switching  
- Battery protection circuits  
- DC-DC converters  

This MOSFET is designed for high performance in compact, space-constrained designs.  

(Source: Vishay Siliconix Datasheet)

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The SI3441BDV is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3441BDV  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -2V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI3441BDV is a P-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high efficiency in switching applications.  
- Suitable for battery protection, load switching, and DC-DC conversion.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Provides improved thermal performance and compact footprint.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on Vishay's datasheet and product documentation.

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET **Manufacturer:** FAI  

**Part Number:** SI3441BDV  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Voltage (VDS):** 20V  
- **Current (ID):** 5.7A (per channel)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per channel)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 0.7V (min) to 1.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 350pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Suitable for load switching and power distribution in portable devices.  

**Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed.  
- Compact SOIC-8 package for space-constrained designs.  
- ESD protection for improved reliability.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Note: Specifications may vary slightly based on datasheet revisions.)