N-Channel 20-V (D-S) MOSFET The SI2312DS is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI2312DS  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 50mΩ (at V_GS = -4.5V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 8.5nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**
- The SI2312DS is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- It is commonly used in power management, load switching, and battery protection circuits.  

### **Features:**
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Small SOT-23 package for space-constrained designs.  
- RoHS compliant and halogen-free.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.