P-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET The SI2303DS is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -3.2A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -12A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.25W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 85mΩ (max) at VGS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
### **Description:**
The SI2303DS is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power management applications. It is commonly used in load switching, battery protection, and DC-DC conversion circuits. The device is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained designs.
### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **ESD Protection:** Provides robustness against electrostatic discharge.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet.