N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI1032R is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85 mΩ (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V to -3 V  

### **Descriptions:**
- The SI1032R is a P-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high switching performance.  
- Suitable for load switching, battery management, and DC-DC conversion.  

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Robust and reliable performance in power applications.  
- Compact and efficient package (TO-252, DPAK).  

For exact datasheet details, refer to Vishay's official documentation.