Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode The part **SGH15N60RUFDTU** is manufactured by **N/A**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C):** 15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low saturation voltage (V_CE(sat)).  
- Fast switching speed for improved performance.  
- High ruggedness and reliability in power circuits.  
- Suitable for motor control, inverters, and power supplies.  

For detailed datasheets, consult the manufacturer's official documentation.

Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode The **SGH15N60RUFDTU** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 15A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5V (typical)  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** Super Junction (CoolMOS™)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power conversion applications.  
- Optimized for switching power supplies, motor drives, and inverters.  
- Features low conduction and switching losses.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Low gate charge (Q_g) for improved efficiency.  
- **High Robustness:** Avalanche-rated for reliability in harsh conditions.  
- **Low R_DS(on):** Reduces conduction losses.  
- **CoolMOS™ Technology:** Enhances thermal performance.  

This information is strictly factual and sourced from the manufacturer's datasheet.