IGBTs & DuoPacks The **SGD02N60** is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 2 A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 1.2 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 25 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.55 V (typical) @ I_C = 2 A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to +150°C  

### **Description:**
- The **SGD02N60** is a **N-channel IGBT** designed for **medium-power switching applications**.  
- It is optimized for **low conduction losses** and **fast switching performance**.  
- Suitable for **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), motor drives, and inverters**.  

### **Features:**
- **Low saturation voltage (V_CE(sat))** for improved efficiency.  
- **Fast switching speed** for high-frequency operation.  
- **High voltage capability (600 V)** for robust performance.  
- **Temperature-stable characteristics** for reliable operation.  
- **TO-252 (DPAK) package** for easy mounting and thermal management.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **SGD02N60** IGBT.