**Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Voltage (Vceo):** -60V  
- **Current (Ic):** -600mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 625mW  
- **Gain (hFE):** 40-250  
- **Package:** SOT-23  

**Features:**  
- High current gain  
- Low saturation voltage  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications  

**Applications:**  
- Signal amplification  
- Switching circuits  
- Driver stages  

This information is based on standard FSC specifications for the SFI2955TU transistor.