![](/IMAGES/ls12.gif)
SFH4301 ,High-Speed Infrared Emitter (950 nm)applications• Anwendungen mit hohen • Alarm and safety equipmentZuverlässigkeits-ansprüchen bzw. • ..
SFH4650 , Emitters and Detectors for Infrared (IR) Touchscreens
SFH482-1 , GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm
SFH4860 , GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm
SFH506-56 ,IR-receiver/demodulator diviceIR-Empfénger/Demodulator-Baustein
lR-Receiver/Demodulator Device
Surface not flat
SFH 506
..
SFH5110 ,IR-Receiver for Remote Control SystemsApplications• Empfänger in Fernbedienungen für TV, • Remote control module for TV sets, VCRs, hi-fi ..
SI4874DY ,Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFETSi4874DYNew ProductVishay SiliconixN-Channel Reduced Q , Fast Switching MOSFETg
SFH4301
High-Speed Infrared Emitter (950 nm)
SFH 4301
Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 3 mm Radial-Gehäuse
High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 3 mm Radial Package2000-01-011
OPTO SEMICONDUCTORS
Wesentliche MerkmaleHohe Pulsleistung und hoher Gesamt-
strahlungsfluß ΦeSehr kurze Schaltzeiten (10 ns)Sehr hohe LangzeitstabilitätHohe Zuverlässigkeit
AnwendungenSchnelle Datenübertragung mit
Übertragungsraten bis 100 Mbaud
(IRTastatur, Joystick, Multimedia)Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und
VideosignalübertragungBatteriebetriebene Geräte (geringe
Stromaufnahme)Anwendungen mit hohen
Zuverlässigkeits-ansprüchen bzw.
erhöhten AnforderungenAlarm- und SicherungssystemeIR Freiraumübertragung
FeaturesHigh pulse power and high radiant flux ΦeVery short switching times (10 ns)Very high long-time stabilityHigh reliability
ApplicationsHigh data transmission rate up to 100 Mbaud
(IRkeyboard, Joystick, Multimedia)Analog and digital Hi-Fi audio and video signal
transmissionLow power consumption (battery) equipmentSuitable for professional and high-reliability
applicationsAlarm and safety equipmentIR free air transmission
2000-01-012
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4301
Grenzwerte(TA = 25 °C)
Maximum Ratings
SFH 43012000-01-013
OPTO SEMICONDUCTORS
Kennwerte(TA = 25 °C)
Characteristics
2000-01-014
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4301
Strahlstärke ΙΙΙΙ
e in Achsrichtunggemessen bei einem Raumwinkel von Ω = 0.01 sr
Radiant Intensity ΙΙΙΙ
e in Axial Directionmeasured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Lötbedingungen
Soldering Conditions
Kennwerte(TA = 25 °C) (cont’d)
Characteristics
SFH 43012000-01-015
OPTO SEMICONDUCTORS
Relative Spectral EmissionIerel = f (λ)
Forward Current IF = f (VF)
single pulse, tp = 20 μs
Radiant Intensity Ιe/Ιe (100 mA) = f (IF)Single pulse, tp = 20 μs
Radiation Characteristic Ierel = f (ϕ)
Max. Permissible Forward CurrentIF = f (TA)
2000-01-016
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4301
Maßzeichnung
Package OutlinesMaße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.