N-channel 100V 6.8 m鈩?standard level MOSFET in D2PAK. The **PSMN7R0-100BS** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications, offering low on-state resistance and high efficiency. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 100V and a continuous drain current (I_D) of 70A, this component is well-suited for demanding power conversion tasks, including DC-DC converters, motor drives, and industrial power supplies.  

Featuring an ultra-low **R_DS(on)** of just 7.0mΩ (typical at 10V V_GS), the PSMN7R0-100BS minimizes conduction losses, enhancing thermal performance and energy efficiency. Its robust construction ensures reliable operation in high-temperature environments, with a maximum junction temperature of 175°C.  

The MOSFET utilizes advanced trench technology, delivering fast switching speeds and reduced gate charge (Q_g), which helps lower switching losses in high-frequency applications. The device is housed in a **TO-263 (D²PAK)** package, providing excellent thermal dissipation and mechanical stability.  

Engineers favor the PSMN7R0-100BS for its balance of performance, durability, and compact form factor, making it an ideal choice for modern power electronics designs where efficiency and space constraints are critical considerations.