N-channel 100 V 5 m惟 standard level MOSFET in I2PAK The **PSMN5R0-100ES** is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With an ultra-low **on-resistance (RDS(on))** of just 5.0 mΩ, this component minimizes power losses, making it ideal for high-efficiency switching circuits.  

Featuring a **100V drain-source voltage (VDS)** rating and a robust **continuous drain current (ID)** capability, the PSMN5R0-100ES is well-suited for demanding power conversion tasks, including DC-DC converters, motor control, and load switching. Its advanced trench technology ensures fast switching speeds while maintaining thermal stability, enhancing overall system reliability.  

The MOSFET is housed in a **SuperSO8 package**, offering excellent thermal performance and compact footprint, which is beneficial for space-constrained designs. Additionally, its low gate charge (Qg) reduces drive requirements, further improving efficiency in high-frequency applications.  

Engineers and designers will appreciate the PSMN5R0-100ES for its balance of performance, thermal management, and power handling, making it a versatile choice for modern power electronics. Whether used in industrial automation, renewable energy systems, or automotive applications, this MOSFET delivers consistent and reliable operation under challenging conditions.

N-channel 100 V 5 m惟 standard level MOSFET in I2PAK