The PSMN4R3-100ES is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. With a low on-resistance (RDS(on)) of just 4.3 mΩ, this component ensures efficient power handling while minimizing energy losses. Its 100V drain-source voltage rating makes it suitable for a wide range of industrial, automotive, and consumer electronics applications, including DC-DC converters, motor control, and battery management systems.  

Featuring a compact and robust package, the PSMN4R3-100ES offers excellent thermal performance, enabling reliable operation under high-current conditions. Its fast switching characteristics enhance efficiency in high-frequency circuits, while the integrated body diode provides added protection against reverse voltage spikes.  

Engineers value this MOSFET for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness, making it a preferred choice for demanding power electronics designs. Whether used in switching regulators or load drivers, the PSMN4R3-100ES delivers consistent performance, ensuring stable and efficient power delivery in modern electronic systems.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure proper integration into your circuit design.