The PSMN3R3-80BS is a high-performance N-channel power MOSFET designed for demanding applications requiring low on-resistance and efficient power handling. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 80V and a continuous drain current (I_D) of up to 300A, this component is well-suited for power conversion, motor control, and switching circuits.  

Featuring an ultra-low on-resistance (R_DS(on)) of just 3.3mΩ, the PSMN3R3-80BS minimizes conduction losses, improving overall system efficiency. Its robust thermal performance and compact D²PAK (TO-263) package make it ideal for space-constrained designs while ensuring reliable operation under high-power conditions.  

The MOSFET also incorporates advanced silicon technology, offering fast switching speeds and reduced gate charge, which further enhances performance in high-frequency applications. Its rugged construction ensures durability in harsh environments, making it a dependable choice for industrial, automotive, and renewable energy systems.  

Engineers and designers will appreciate the PSMN3R3-80BS for its balance of power efficiency, thermal management, and compact form factor, making it a versatile solution for modern electronic designs.