The PSMN1R3-30YL is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient power management in demanding applications. With a low on-resistance (RDS(on)) of just 1.3 mΩ, this component minimizes conduction losses, making it ideal for high-current switching circuits. Its 30V drain-source voltage rating ensures robust operation in automotive, industrial, and power supply systems.  

Featuring advanced trench technology, the PSMN1R3-30YL delivers excellent thermal performance and fast switching speeds, enhancing energy efficiency in DC-DC converters, motor drives, and battery management systems. The MOSFET is housed in a compact, surface-mount LFPAK package, optimizing space utilization while maintaining high power density.  

Key specifications include a continuous drain current of 180A and a low gate charge, enabling precise control with minimal drive power. Its rugged design ensures reliability under harsh operating conditions, including high-temperature environments.  

Engineers favor the PSMN1R3-30YL for its balance of performance, efficiency, and durability, making it a preferred choice for modern power electronics. Whether used in high-frequency switching or load management, this MOSFET provides a dependable solution for optimizing system performance.