The PSMN057-200B is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient power management in demanding applications. With a low on-resistance (RDS(on)) of just 5.7 mΩ and a maximum drain-source voltage (VDS) of 200V, this component offers excellent power handling capabilities while minimizing conduction losses.  

Built using advanced semiconductor technology, the PSMN057-200B is optimized for switching applications such as DC-DC converters, motor control, and power supplies. Its robust design ensures reliable operation under high-current conditions, making it suitable for industrial, automotive, and renewable energy systems.  

Key features include a high continuous drain current (ID) rating, fast switching speeds, and a compact, thermally efficient package. These attributes contribute to improved energy efficiency and reduced heat dissipation in power electronics.  

Engineers favor the PSMN057-200B for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in high-frequency switching or high-power circuits, this MOSFET provides a dependable solution for modern electronic designs.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer's datasheet to ensure proper integration into your application.

The PSMN057-200B is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient switching applications in power electronics. With a low on-resistance (R_DS(on)) of just 5.7 mΩ, this component minimizes conduction losses, making it ideal for high-current applications such as DC-DC converters, motor drives, and power supplies.  

Featuring a robust 200V drain-source voltage (V_DSS) rating, the PSMN057-200B ensures reliable operation in demanding environments. Its advanced trench technology enhances switching performance while maintaining thermal stability. The device also offers a high continuous drain current (I_D) of up to 100A, further supporting its use in high-power circuits.  

Packaged in a TO-220 or similar industry-standard form factor, the PSMN057-200B provides excellent thermal dissipation and ease of integration into existing designs. Engineers value its fast switching characteristics and low gate charge, which contribute to improved system efficiency and reduced energy losses.  

Whether used in industrial automation, renewable energy systems, or automotive applications, the PSMN057-200B delivers a balance of performance, durability, and cost-effectiveness, making it a preferred choice for power management solutions.

The PSMN057-200B is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient switching applications in power electronics. With a low on-resistance (RDS(on)) of just 5.7 mΩ at 10 V, this component minimizes conduction losses, making it ideal for high-current applications such as DC-DC converters, motor drives, and power management systems.  

Featuring a robust 200 V drain-source voltage rating, the PSMN057-200B ensures reliable operation in demanding environments. Its fast switching characteristics and low gate charge enhance efficiency, reducing power dissipation in high-frequency circuits. The device is housed in a TO-220 package, providing excellent thermal performance and ease of mounting.  

Engineers favor the PSMN057-200B for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in industrial automation, renewable energy systems, or automotive electronics, this MOSFET delivers consistent performance under varying load conditions. Its design prioritizes both energy efficiency and thermal stability, making it a dependable choice for modern power applications.  

For designers seeking a high-efficiency switching solution, the PSMN057-200B offers a compelling combination of low resistance, high voltage tolerance, and reliable operation.